GaAs materijala analiza
1. proučavanje složeni poluvodički materijali sežu na početak prošlog stoljeća. Najranije izvijestio inP materijala studirao po Thiel et al. 1910. 1952., njemački znanstvenik Welker prvo studirao III-V spojevima zaposlit ćemo nove poluvodičke i istakao da oni imaju vrhunsku imovinu ne poseduju elementarne poluvodički materijali kao što su Ge i Si. U proteklih pedeset godina, istraživanja na složeni poluvodički materijali postigla veliki napredak, a to je također naširoko koristi u područjima mikroelektronika i optoelektronika.
Galij arsenid (GaAs) materijali su trenutno najviše u izobilju, naširoko koristi, i stoga najvažnije složeni poluvodički materijali i najvažnijih poluvodičkih materijala nakon silicija. Zbog svoje vrhunske performanse i bend struktura, GaAs materijala imaju veliki potencijal u mikrovalnu uređaji i uređaji za svjetlo-zračenje. U ovom trenutku, napredne proizvodne tehnologije materijala galij arsenid je još uvijek u rukama velikih međunarodnih tvrtki kao što su Japan, Njemačka i Sjedinjene države. U usporedbi sa stranim kompanijama, domaća poduzeća još uvijek imam veliku prazninu u tehnologiji proizvodnje galij arsenid materijala.
2. svojstva i koristi od galij arsenid materijala
Galij arsenid je tipičan direktan prijelaz tip energije bend struktura. Minimalna vrijednost kondukcije bend i maksimalna vrijednost valentni pojas ljuskom centar Brillouin zone, odnosno k = 0, što je čini imaju visoke elektro-optička konverzijska djelotvornost. Odličan materijal za pripremu fotonaponskim uređajima.
Na 300K, zabranjenu bend širine GaAs materijala je 1.42V, koja je mnogo veća od 0.67V germanij i 1.12V silicija. Stoga, galij arsenid uređaji mogu raditi na višim temperaturama i izdržati velike snage.
U usporedbi s tradicionalnim silicija poluvodičkih materijala, galij arsenid (GaAs) materijali imaju visoku elektron mobilnost zabranjenu veliki bend širine, direktni bend jaz, niska potrošnja energije i pokretljivost elektrona je 5,7 puta veći od silicija materijala . Dakle, to je naširoko koristi u proizvodnji IC uređaja na visoke frekvencije i bežične komunikacije. Visoke frekvencije, velike brzine, zračenje dokaz visoke temperature uređaja proizvodi se obično koriste u poljima bežične komunikacije, optičke komunikacije, mobilne komunikacije, globalni navigacijski GPS i slično. Osim slučajnog aplikacija u IC proizvode, GaAs materijala također dodavanja drugih elemenata za promjenu svog benda struktura proizvesti fotoelektrični efekt, da bi svjetlo-zračenje poluvodičkih i donositi galij arsenid solarne ćelije.